平面MOS
MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管(（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）,简称场效晶体管 场效应管是电压控制型器件,有三个电极:栅极、漏极、源极。在电路中起放大及无触点开关等作用。
场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。
平面工艺是在Si半导体芯片上通过氧化、光刻、扩散、离子注入等一系列流程，制作出晶体管和集成电路；器件和电路都是在芯片表面一层附近处，整个芯片基本上保持是平坦的（实际上，表面上存在许多台阶）；制作出的晶体管称为平面晶体管（相对于台面晶体管而言），故称相应的制作工艺为平面工艺，特点是芯片面积大，雪崩能力强。
3499a拉斯维加斯提供击穿电压等级范围为200V至800V的N沟道和P沟道平面工艺系列功率MOSFET，产品封装包括TO-251、TO-252、TO-263、TO-262、TO-220、TO-220F、TO-247
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